Ứng dụng/Di động:86-18020776792 Skype:miyazheng520
Email:miya@mvme.cn (nhấp) Liên hệ với qản lý: Miya
ABB 3BHB030310R0001 (còn được gọi là 5SHY4045L0006) là một mô-đun Thyristor được điều khiển cổng tích hợp (IGCT) được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp công suất cao.
Kết hợp tổn thất dẫn điện thấp của Thyristor được điều khiển cổng (GCT) với khả năng chuyển mạch nhanh của Transistor lưỡng cực cổng cách ly (IGBT), IGCT lý tưởng cho các tình huống điện áp cao, dòng điện cao.
Định mức điện áp cao: Hỗ trợ lên đến 4500 V cho các ứng dụng điện năng đòi hỏi.
Khả năng dòng điện cao: Được đánh giá ở mức 91 A, phù hợp với việc xử lý công suất cao.
Ổ đĩa cổng tích hợp: Sử dụng tỷ lệ ổ đĩa cổng kích hoạt bằng ánh sáng 1:1 để điều khiển hiệu quả.
Tổn thất dẫn điện thấp: Kết hợp công nghệ lớp đệm tiên tiến và bộ phát nông để giảm tổn thất động khoảng 50%.
Chuyển mạch nhanh: Cho phép chuyển mạch nhanh chóng để điều khiển năng lượng chính xác và hiệu quả.
☞Tuy nhiên, nếu bạn nghĩ rằng chúng tôi có thể làm tốt hơn, vui lòng đưa ra đề nghị cho bất kỳ sản phẩm nào của chúng tôi. ☞Chúng tôi tự hào về việc giúp bạn tiết kiệm tiền! Đây là cách đưa ra đề nghị. ☞Đội ngũ Đề xuất cố gắng hết sức để trả lời các đề nghị một cách kịp thời. ☞Thời gian quay vòng điển hình cho một đề nghị là 24 giờ. |
![]() |
DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
miya@mvme.cn (nhấp) || 86-18020776792